IRF - IRFB3207ZGPbF - MOSFET Transistor 75 V 170 A, TO-220AB 3-Pin

Artikelnummer: 17513

N-Kanal-MOSFET, International Rectifier

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Beschreibung

Abmessungen 10.67 x 4.83 x 16.51mm
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur max. +175 °C
Betriebstemperatur min. -55 °C
Breite 4.83mm
Channel Mode Enhancement
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 170 A
Drain-Source-Spannung max. 75 V
Drain-Source-Widerstand max. 4,1 mO
Eingangskapazität typ. @ Vds 6920 pF @ 25 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs 120 nC @ 10 V
Gate-Source Spannung max. ±20 V
Gehäusegröße TO-220AB
Höhe 16.51mm
Kategorie Leistungs-MOSFET
Konfiguration Single
Länge 10.67mm
Maximale Gate-Schwellenspannung 4V
Minimale Gate-Schwellenspannung 2V
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Typical Turn-Off Delay Time 55 ns
Typical Turn-On Delay Time 20 ns
Verlustleistung max. 300 W

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