Infineon - IPB180N03S4LH0ATMA1 - MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

Artikelnummer: 27776

Montageart: SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse: TO-263-7
Anzahl der Kanäle: 1 Channel
Transistorpolung: N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: 40 V
Id - Drain-Gleichstrom: 180 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 1.1 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: 2 V
Vgs - Gate-Source-Spannung: 20 V
Qg - Gate-Ladung: 176 nC
Minimale Betriebstemperatur: - 55 C
Maximale Betriebstemperatur: + 175 C
Pd - Verlustleistung: 188 W

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Beschreibung

Montageart: SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse: TO-263-7
Anzahl der Kanäle: 1 Channel
Transistorpolung: N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: 40 V
Id - Drain-Gleichstrom: 180 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 1.1 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: 2 V
Vgs - Gate-Source-Spannung: 20 V
Qg - Gate-Ladung: 176 nC
Minimale Betriebstemperatur: - 55 C
Maximale Betriebstemperatur: + 175 C
Pd - Verlustleistung: 188 W

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